在电子学领域中，遏制电压是一个重要的参数，它通常用于描述某些半导体器件或电路的工作特性。要理解遏制电压大小与哪些因素相关，我们需要从多个角度进行分析。

首先，遏制电压与材料的禁带宽度密切相关。禁带宽度是指固体物理学中的一个概念，指的是绝缘体或半导体中电子从价带到导带跃迁所需的最小能量。对于PN结二极管来说，其反向偏置下的遏制电压主要由材料的禁带宽度决定。禁带宽度越大，意味着需要更高的电压才能使电流通过，因此遏制电压也会相应增大。

其次，温度对遏制电压也有显著影响。随着温度升高，半导体材料内部载流子浓度增加，这会导致反向饱和电流增大，并且可能降低遏制电压。这是因为高温下热激发效应增强了少数载流子的数量，从而更容易形成导电路径。

此外，在一些特殊情况下，外部施加于器件上的电场强度也会影响遏制电压的表现。例如，在强电场作用下，可能出现隧穿效应或者雪崩击穿现象，这些都会改变正常情况下的遏制电压值。

最后但同样重要的是设计结构方面的影响。不同的制造工艺和技术手段会影响到最终产品的性能表现，包括但不限于掺杂浓度分布、界面质量等。这些因素共同决定了实际应用中所观察到的具体遏制电压水平。

综上所述，遏制电压大小不仅取决于基础物理性质如禁带宽度，还受到环境条件（如温度）、外界因素（如电场强度）以及工程实现细节等方面的影响。只有综合考虑所有这些变量，才能更准确地预测和控制遏制电压的行为特征。